Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4646DY-T1-E3

SI4646DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Mã sản phẩm
SI4646DY-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
SkyFET®, TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
3W (Ta), 6.25W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11.5 mOhm @ 10A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
45nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1790pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 42380 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI4646DY-T1-E3
SI4646DY-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI4646DY-T1-E3 Việc bán hàng
SI4646DY-T1-E3 Nhà cung cấp
SI4646DY-T1-E3 Nhà phân phối
SI4646DY-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI4646DY-T1-E3 Ảnh
SI4646DY-T1-E3 Giá
SI4646DY-T1-E3 Lời đề nghị
SI4646DY-T1-E3 Giá thấp nhất
SI4646DY-T1-E3 Tìm kiếm
SI4646DY-T1-E3 Thu mua
SI4646DY-T1-E3 Chip