Mua Vishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3 MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI4776DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO

Mã sản phẩm

SI4776DY-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

SkyFET®, TrenchFET®

Trạng thái một phần

Last Time Buy

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TA)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SO

Tản điện (Tối đa)

4.1W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

11.9A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

16 mOhm @ 10A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.3V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

17.5nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

521pF @ 15V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 40620 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI4700-B-EVB

BOARD EVAL FOR SI4700