Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4778DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4778DY-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
2.4W (Ta), 5W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
25V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
23 mOhm @ 7A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
18nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 13V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±16V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 34937 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI4778DY-T1-E3
SI4778DY-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI4778DY-T1-E3 Việc bán hàng
SI4778DY-T1-E3 Nhà cung cấp
SI4778DY-T1-E3 Nhà phân phối
SI4778DY-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI4778DY-T1-E3 Ảnh
SI4778DY-T1-E3 Giá
SI4778DY-T1-E3 Lời đề nghị
SI4778DY-T1-E3 Giá thấp nhất
SI4778DY-T1-E3 Tìm kiếm
SI4778DY-T1-E3 Thu mua
SI4778DY-T1-E3 Chip