Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4816BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4816BDY-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
LITTLE FOOT®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Sức mạnh tối đa
1W, 1.25W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Loại FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
5.8A, 8.2A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
18.5 mOhm @ 6.8A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
10nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 15627 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI4816BDY-T1-GE3
SI4816BDY-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI4816BDY-T1-GE3 Việc bán hàng
SI4816BDY-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI4816BDY-T1-GE3 Nhà phân phối
SI4816BDY-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI4816BDY-T1-GE3 Ảnh
SI4816BDY-T1-GE3 Giá
SI4816BDY-T1-GE3 Lời đề nghị
SI4816BDY-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI4816BDY-T1-GE3 Tìm kiếm
SI4816BDY-T1-GE3 Thu mua
SI4816BDY-T1-GE3 Chip