Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4823DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4823DY-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
LITTLE FOOT®
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
Schottky Diode (Isolated)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
108 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
12nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 36548 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI4823DY-T1-GE3
SI4823DY-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI4823DY-T1-GE3 Việc bán hàng
SI4823DY-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI4823DY-T1-GE3 Nhà phân phối
SI4823DY-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI4823DY-T1-GE3 Ảnh
SI4823DY-T1-GE3 Giá
SI4823DY-T1-GE3 Lời đề nghị
SI4823DY-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI4823DY-T1-GE3 Tìm kiếm
SI4823DY-T1-GE3 Thu mua
SI4823DY-T1-GE3 Chip