Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4835BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4835BDY-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
1.5W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
7.4A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
18 mOhm @ 9.6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
37nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±25V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 43845 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI4835BDY-T1-E3
SI4835BDY-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI4835BDY-T1-E3 Việc bán hàng
SI4835BDY-T1-E3 Nhà cung cấp
SI4835BDY-T1-E3 Nhà phân phối
SI4835BDY-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI4835BDY-T1-E3 Ảnh
SI4835BDY-T1-E3 Giá
SI4835BDY-T1-E3 Lời đề nghị
SI4835BDY-T1-E3 Giá thấp nhất
SI4835BDY-T1-E3 Tìm kiếm
SI4835BDY-T1-E3 Thu mua
SI4835BDY-T1-E3 Chip