Mua Vishay Siliconix SI4838BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI4838BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC

Mã sản phẩm

SI4838BDY-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SO

Tản điện (Tối đa)

2.5W (Ta), 5.7W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

12V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

34A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

2.7 mOhm @ 15A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

84nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

5760pF @ 6V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 6468 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC