Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4866BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4866BDY-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
21.5A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
5.3 mOhm @ 12A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
80nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5020pF @ 6V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 54622 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI4866BDY-T1-E3
SI4866BDY-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI4866BDY-T1-E3 Việc bán hàng
SI4866BDY-T1-E3 Nhà cung cấp
SI4866BDY-T1-E3 Nhà phân phối
SI4866BDY-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI4866BDY-T1-E3 Ảnh
SI4866BDY-T1-E3 Giá
SI4866BDY-T1-E3 Lời đề nghị
SI4866BDY-T1-E3 Giá thấp nhất
SI4866BDY-T1-E3 Tìm kiếm
SI4866BDY-T1-E3 Thu mua
SI4866BDY-T1-E3 Chip