Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4890BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4890BDY-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
12 mOhm @ 10A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.6V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
33nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1535pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±25V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 49414 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI4890BDY-T1-E3
SI4890BDY-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI4890BDY-T1-E3 Việc bán hàng
SI4890BDY-T1-E3 Nhà cung cấp
SI4890BDY-T1-E3 Nhà phân phối
SI4890BDY-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI4890BDY-T1-E3 Ảnh
SI4890BDY-T1-E3 Giá
SI4890BDY-T1-E3 Lời đề nghị
SI4890BDY-T1-E3 Giá thấp nhất
SI4890BDY-T1-E3 Tìm kiếm
SI4890BDY-T1-E3 Thu mua
SI4890BDY-T1-E3 Chip