Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI5445BDC-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
Mã sản phẩm
SI5445BDC-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SMD, Flat Lead
Gói thiết bị của nhà cung cấp
1206-8 ChipFET™
Tản điện (Tối đa)
1.3W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
8V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
33 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
21nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 27783 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI5445BDC-T1-GE3
SI5445BDC-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI5445BDC-T1-GE3 Việc bán hàng
SI5445BDC-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI5445BDC-T1-GE3 Nhà phân phối
SI5445BDC-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI5445BDC-T1-GE3 Ảnh
SI5445BDC-T1-GE3 Giá
SI5445BDC-T1-GE3 Lời đề nghị
SI5445BDC-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI5445BDC-T1-GE3 Tìm kiếm
SI5445BDC-T1-GE3 Thu mua
SI5445BDC-T1-GE3 Chip