Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI5463EDC-T1-E3

SI5463EDC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
Mã sản phẩm
SI5463EDC-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SMD, Flat Lead
Gói thiết bị của nhà cung cấp
1206-8 ChipFET™
Tản điện (Tối đa)
1.25W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
62 mOhm @ 4A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
15nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 20912 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI5463EDC-T1-E3
SI5463EDC-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI5463EDC-T1-E3 Việc bán hàng
SI5463EDC-T1-E3 Nhà cung cấp
SI5463EDC-T1-E3 Nhà phân phối
SI5463EDC-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI5463EDC-T1-E3 Ảnh
SI5463EDC-T1-E3 Giá
SI5463EDC-T1-E3 Lời đề nghị
SI5463EDC-T1-E3 Giá thấp nhất
SI5463EDC-T1-E3 Tìm kiếm
SI5463EDC-T1-E3 Thu mua
SI5463EDC-T1-E3 Chip