Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI5480DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Mã sản phẩm
SI5480DU-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® ChipFET™ Single
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® ChipFet Single
Tản điện (Tối đa)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
16 mOhm @ 7.2A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
34nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1230pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 10025 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI5480DU-T1-GE3
SI5480DU-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI5480DU-T1-GE3 Việc bán hàng
SI5480DU-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI5480DU-T1-GE3 Nhà phân phối
SI5480DU-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI5480DU-T1-GE3 Ảnh
SI5480DU-T1-GE3 Giá
SI5480DU-T1-GE3 Lời đề nghị
SI5480DU-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI5480DU-T1-GE3 Tìm kiếm
SI5480DU-T1-GE3 Thu mua
SI5480DU-T1-GE3 Chip