Mua Vishay Siliconix SI5499DC-T1-E3 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI5499DC-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

Mã sản phẩm

SI5499DC-T1-E3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SMD, Flat Lead

Gói thiết bị của nhà cung cấp

1206-8 ChipFET™

Tản điện (Tối đa)

2.5W (Ta), 6.2W (Tc)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

36 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

800mV @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

35nC @ 8V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 4V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.5V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±5V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 40289 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8