Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Mã sản phẩm
SI5513CDC-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SMD, Flat Lead
Sức mạnh tối đa
3.1W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
1206-8 ChipFET™
Loại FET
N and P-Channel
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4A, 3.7A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
55 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
4.2nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
285pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 31739 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI5513CDC-T1-E3
SI5513CDC-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI5513CDC-T1-E3 Việc bán hàng
SI5513CDC-T1-E3 Nhà cung cấp
SI5513CDC-T1-E3 Nhà phân phối
SI5513CDC-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI5513CDC-T1-E3 Ảnh
SI5513CDC-T1-E3 Giá
SI5513CDC-T1-E3 Lời đề nghị
SI5513CDC-T1-E3 Giá thấp nhất
SI5513CDC-T1-E3 Tìm kiếm
SI5513CDC-T1-E3 Thu mua
SI5513CDC-T1-E3 Chip