Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI5517DU-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Mã sản phẩm
SI5517DU-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Sức mạnh tối đa
8.3W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® ChipFet Dual
Loại FET
N and P-Channel
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
16nC @ 8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 50337 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI5517DU-T1-E3
SI5517DU-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI5517DU-T1-E3 Việc bán hàng
SI5517DU-T1-E3 Nhà cung cấp
SI5517DU-T1-E3 Nhà phân phối
SI5517DU-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI5517DU-T1-E3 Ảnh
SI5517DU-T1-E3 Giá
SI5517DU-T1-E3 Lời đề nghị
SI5517DU-T1-E3 Giá thấp nhất
SI5517DU-T1-E3 Tìm kiếm
SI5517DU-T1-E3 Thu mua
SI5517DU-T1-E3 Chip