Mua Vishay Siliconix SI5519DU-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI5519DU-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Mã sản phẩm

SI5519DU-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Sức mạnh tối đa

10.4W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® ChipFet Dual

Loại FET

N and P-Channel

Tính năng FET

Standard

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

36 mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.8V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

17.5nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 27406 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI5504BDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8