Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI5913DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Mã sản phẩm
SI5913DC-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
LITTLE FOOT®
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SMD, Flat Lead
Gói thiết bị của nhà cung cấp
1206-8 ChipFET™
Tản điện (Tối đa)
1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
Schottky Diode (Isolated)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
84 mOhm @ 3.7A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
12nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 42829 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI5913DC-T1-E3
SI5913DC-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI5913DC-T1-E3 Việc bán hàng
SI5913DC-T1-E3 Nhà cung cấp
SI5913DC-T1-E3 Nhà phân phối
SI5913DC-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI5913DC-T1-E3 Ảnh
SI5913DC-T1-E3 Giá
SI5913DC-T1-E3 Lời đề nghị
SI5913DC-T1-E3 Giá thấp nhất
SI5913DC-T1-E3 Tìm kiếm
SI5913DC-T1-E3 Thu mua
SI5913DC-T1-E3 Chip