Mua Vishay Siliconix SI5920DC-T1-E3 MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI5920DC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

Mã sản phẩm

SI5920DC-T1-E3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SMD, Flat Lead

Sức mạnh tối đa

3.12W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

1206-8 ChipFET™

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

32 mOhm @ 6.8A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

12nC @ 5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 4V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 38098 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI5902BDC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8