Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI5999EDU-T1-GE3

SI5999EDU-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
Mã sản phẩm
SI5999EDU-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Sức mạnh tối đa
10.4W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® ChipFet Dual
Loại FET
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
59 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
20nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
496pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 33038 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI5999EDU-T1-GE3
SI5999EDU-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI5999EDU-T1-GE3 Việc bán hàng
SI5999EDU-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI5999EDU-T1-GE3 Nhà phân phối
SI5999EDU-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI5999EDU-T1-GE3 Ảnh
SI5999EDU-T1-GE3 Giá
SI5999EDU-T1-GE3 Lời đề nghị
SI5999EDU-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI5999EDU-T1-GE3 Tìm kiếm
SI5999EDU-T1-GE3 Thu mua
SI5999EDU-T1-GE3 Chip