Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI6459BDQ-T1-E3

SI6459BDQ-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
Mã sản phẩm
SI6459BDQ-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-TSSOP
Tản điện (Tối đa)
1W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
115 mOhm @ 2.7A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
22nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 31705 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI6459BDQ-T1-E3
SI6459BDQ-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI6459BDQ-T1-E3 Việc bán hàng
SI6459BDQ-T1-E3 Nhà cung cấp
SI6459BDQ-T1-E3 Nhà phân phối
SI6459BDQ-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI6459BDQ-T1-E3 Ảnh
SI6459BDQ-T1-E3 Giá
SI6459BDQ-T1-E3 Lời đề nghị
SI6459BDQ-T1-E3 Giá thấp nhất
SI6459BDQ-T1-E3 Tìm kiếm
SI6459BDQ-T1-E3 Thu mua
SI6459BDQ-T1-E3 Chip