Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI6473DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Mã sản phẩm
SI6473DQ-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-TSSOP
Tản điện (Tối đa)
1.08W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
70nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 50613 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI6473DQ-T1-E3
SI6473DQ-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI6473DQ-T1-E3 Việc bán hàng
SI6473DQ-T1-E3 Nhà cung cấp
SI6473DQ-T1-E3 Nhà phân phối
SI6473DQ-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI6473DQ-T1-E3 Ảnh
SI6473DQ-T1-E3 Giá
SI6473DQ-T1-E3 Lời đề nghị
SI6473DQ-T1-E3 Giá thấp nhất
SI6473DQ-T1-E3 Tìm kiếm
SI6473DQ-T1-E3 Thu mua
SI6473DQ-T1-E3 Chip