Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7212DN-T1-E3

SI7212DN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
Mã sản phẩm
SI7212DN-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8 Dual
Sức mạnh tối đa
1.3W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8 Dual
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.9A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
36 mOhm @ 6.8A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.6V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
11nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 42014 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI7212DN-T1-E3
SI7212DN-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7212DN-T1-E3 Việc bán hàng
SI7212DN-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7212DN-T1-E3 Nhà phân phối
SI7212DN-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7212DN-T1-E3 Ảnh
SI7212DN-T1-E3 Giá
SI7212DN-T1-E3 Lời đề nghị
SI7212DN-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7212DN-T1-E3 Tìm kiếm
SI7212DN-T1-E3 Thu mua
SI7212DN-T1-E3 Chip