Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7868ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
Mã sản phẩm
SI7868ADP-T1-E3
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8
Tản điện (Tối đa)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
2.25 mOhm @ 20A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.6V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
150nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
6110pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 53573 PCS
Từ khóa của SI7868ADP-T1-E3
SI7868ADP-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7868ADP-T1-E3 Việc bán hàng
SI7868ADP-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7868ADP-T1-E3 Nhà phân phối
SI7868ADP-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7868ADP-T1-E3 Ảnh
SI7868ADP-T1-E3 Giá
SI7868ADP-T1-E3 Lời đề nghị
SI7868ADP-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7868ADP-T1-E3 Tìm kiếm
SI7868ADP-T1-E3 Thu mua
SI7868ADP-T1-E3 Chip