Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI8407DB-T2-E1

SI8407DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP
Mã sản phẩm
SI8407DB-T2-E1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
6-MICRO FOOT®CSP
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Tản điện (Tối đa)
1.47W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
27 mOhm @ 1A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
900mV @ 350µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
50nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 43517 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI8407DB-T2-E1
SI8407DB-T2-E1 Linh kiện điện tử
SI8407DB-T2-E1 Việc bán hàng
SI8407DB-T2-E1 Nhà cung cấp
SI8407DB-T2-E1 Nhà phân phối
SI8407DB-T2-E1 Bảng dữ liệu
SI8407DB-T2-E1 Ảnh
SI8407DB-T2-E1 Giá
SI8407DB-T2-E1 Lời đề nghị
SI8407DB-T2-E1 Giá thấp nhất
SI8407DB-T2-E1 Tìm kiếm
SI8407DB-T2-E1 Thu mua
SI8407DB-T2-E1 Chip