Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI8467DB-T2-E1

SI8467DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Mã sản phẩm
SI8467DB-T2-E1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
4-XFBGA, CSPBGA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
4-Microfoot
Tản điện (Tối đa)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
-
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
73 mOhm @ 1A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
21nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 31635 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI8467DB-T2-E1
SI8467DB-T2-E1 Linh kiện điện tử
SI8467DB-T2-E1 Việc bán hàng
SI8467DB-T2-E1 Nhà cung cấp
SI8467DB-T2-E1 Nhà phân phối
SI8467DB-T2-E1 Bảng dữ liệu
SI8467DB-T2-E1 Ảnh
SI8467DB-T2-E1 Giá
SI8467DB-T2-E1 Lời đề nghị
SI8467DB-T2-E1 Giá thấp nhất
SI8467DB-T2-E1 Tìm kiếm
SI8467DB-T2-E1 Thu mua
SI8467DB-T2-E1 Chip