Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI8487DB-T1-E1

SI8487DB-T1-E1

MOSFET P-CH 30V MICROFOOT
Mã sản phẩm
SI8487DB-T1-E1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
4-UFBGA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
4-Microfoot
Tản điện (Tối đa)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
-
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
31 mOhm @ 2A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
80nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2240pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 33370 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI8487DB-T1-E1
SI8487DB-T1-E1 Linh kiện điện tử
SI8487DB-T1-E1 Việc bán hàng
SI8487DB-T1-E1 Nhà cung cấp
SI8487DB-T1-E1 Nhà phân phối
SI8487DB-T1-E1 Bảng dữ liệu
SI8487DB-T1-E1 Ảnh
SI8487DB-T1-E1 Giá
SI8487DB-T1-E1 Lời đề nghị
SI8487DB-T1-E1 Giá thấp nhất
SI8487DB-T1-E1 Tìm kiếm
SI8487DB-T1-E1 Thu mua
SI8487DB-T1-E1 Chip