Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI9926BDY-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Sức mạnh tối đa
1.14W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6.2A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
20nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 49075 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI9926BDY-T1-E3
SI9926BDY-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI9926BDY-T1-E3 Việc bán hàng
SI9926BDY-T1-E3 Nhà cung cấp
SI9926BDY-T1-E3 Nhà phân phối
SI9926BDY-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI9926BDY-T1-E3 Ảnh
SI9926BDY-T1-E3 Giá
SI9926BDY-T1-E3 Lời đề nghị
SI9926BDY-T1-E3 Giá thấp nhất
SI9926BDY-T1-E3 Tìm kiếm
SI9926BDY-T1-E3 Thu mua
SI9926BDY-T1-E3 Chip