Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIA413DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
Mã sản phẩm
SIA413DJ-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SC-70-6
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SC-70-6 Single
Tản điện (Tối đa)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
29 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
57nC @ 8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.5V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 12872 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SIA413DJ-T1-GE3
SIA413DJ-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIA413DJ-T1-GE3 Việc bán hàng
SIA413DJ-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIA413DJ-T1-GE3 Nhà phân phối
SIA413DJ-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIA413DJ-T1-GE3 Ảnh
SIA413DJ-T1-GE3 Giá
SIA413DJ-T1-GE3 Lời đề nghị
SIA413DJ-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIA413DJ-T1-GE3 Tìm kiếm
SIA413DJ-T1-GE3 Thu mua
SIA413DJ-T1-GE3 Chip