Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
Mã sản phẩm
SIA425EDJ-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SC-70-6
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SC-70-6 Single
Tản điện (Tối đa)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
60 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
-
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 36984 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIA425EDJ-T1-GE3
SIA425EDJ-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIA425EDJ-T1-GE3 Việc bán hàng
SIA425EDJ-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIA425EDJ-T1-GE3 Nhà phân phối
SIA425EDJ-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIA425EDJ-T1-GE3 Ảnh
SIA425EDJ-T1-GE3 Giá
SIA425EDJ-T1-GE3 Lời đề nghị
SIA425EDJ-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIA425EDJ-T1-GE3 Tìm kiếm
SIA425EDJ-T1-GE3 Thu mua
SIA425EDJ-T1-GE3 Chip