Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIA477EDJ-T1-GE3

SIA477EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
Mã sản phẩm
SIA477EDJ-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SC-70-6
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SC-70-6 Single
Tản điện (Tối đa)
-
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
14 mOhm @ 7A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
87nC @ 8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2970pF @ 6V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
-
VSS (Tối đa)
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 46801 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIA477EDJ-T1-GE3
SIA477EDJ-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIA477EDJ-T1-GE3 Việc bán hàng
SIA477EDJ-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIA477EDJ-T1-GE3 Nhà phân phối
SIA477EDJ-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIA477EDJ-T1-GE3 Ảnh
SIA477EDJ-T1-GE3 Giá
SIA477EDJ-T1-GE3 Lời đề nghị
SIA477EDJ-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIA477EDJ-T1-GE3 Tìm kiếm
SIA477EDJ-T1-GE3 Thu mua
SIA477EDJ-T1-GE3 Chip