Mua Vishay Siliconix SIA477EDJT-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SIA477EDJT-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Mã sản phẩm

SIA477EDJT-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET® Gen III

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® SC-70-6

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® SC-70-6 Single

Tản điện (Tối đa)

19W (Tc)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

12V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

13 mOhm @ 5A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

50nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

3050pF @ 6V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 20497 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70