Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIA921EDJ-T1-GE3

SIA921EDJ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Mã sản phẩm
SIA921EDJ-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Sức mạnh tối đa
7.8W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Loại FET
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.5A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
59 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
23nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 15522 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIA921EDJ-T1-GE3
SIA921EDJ-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIA921EDJ-T1-GE3 Việc bán hàng
SIA921EDJ-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIA921EDJ-T1-GE3 Nhà phân phối
SIA921EDJ-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIA921EDJ-T1-GE3 Ảnh
SIA921EDJ-T1-GE3 Giá
SIA921EDJ-T1-GE3 Lời đề nghị
SIA921EDJ-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIA921EDJ-T1-GE3 Tìm kiếm
SIA921EDJ-T1-GE3 Thu mua
SIA921EDJ-T1-GE3 Chip