Mua Vishay Siliconix SIB412DK-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SIB412DK-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Mã sản phẩm

SIB412DK-T1-E3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® SC-75-6L

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® SC-75-6L Single

Tản điện (Tối đa)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

34 mOhm @ 6.6A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

10.16nC @ 5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 5766 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L