Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
Mã sản phẩm
SIB417AEDK-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SC-75-6L
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SC-75-6L Single
Tản điện (Tối đa)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
8V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
32 mOhm @ 3A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
18.5nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
878pF @ 4V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.2V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±5V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 22223 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIB417AEDK-T1-GE3
SIB417AEDK-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIB417AEDK-T1-GE3 Việc bán hàng
SIB417AEDK-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIB417AEDK-T1-GE3 Nhà phân phối
SIB417AEDK-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIB417AEDK-T1-GE3 Ảnh
SIB417AEDK-T1-GE3 Giá
SIB417AEDK-T1-GE3 Lời đề nghị
SIB417AEDK-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIB417AEDK-T1-GE3 Tìm kiếm
SIB417AEDK-T1-GE3 Thu mua
SIB417AEDK-T1-GE3 Chip