Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIB912DK-T1-GE3

SIB912DK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Mã sản phẩm
SIB912DK-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Sức mạnh tối đa
3.1W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.5A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
216 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
3nC @ 8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
95pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 32221 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIB912DK-T1-GE3
SIB912DK-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIB912DK-T1-GE3 Việc bán hàng
SIB912DK-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIB912DK-T1-GE3 Nhà phân phối
SIB912DK-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIB912DK-T1-GE3 Ảnh
SIB912DK-T1-GE3 Giá
SIB912DK-T1-GE3 Lời đề nghị
SIB912DK-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIB912DK-T1-GE3 Tìm kiếm
SIB912DK-T1-GE3 Thu mua
SIB912DK-T1-GE3 Chip