Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIB914DK-T1-GE3

SIB914DK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
Mã sản phẩm
SIB914DK-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Digi-Reel®
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Sức mạnh tối đa
3.1W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Standard
Xả điện áp nguồn (Vdss)
8V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.5A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
113 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
800mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
2.6nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
125pF @ 4V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 53550 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIB914DK-T1-GE3
SIB914DK-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIB914DK-T1-GE3 Việc bán hàng
SIB914DK-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIB914DK-T1-GE3 Nhà phân phối
SIB914DK-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIB914DK-T1-GE3 Ảnh
SIB914DK-T1-GE3 Giá
SIB914DK-T1-GE3 Lời đề nghị
SIB914DK-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIB914DK-T1-GE3 Tìm kiếm
SIB914DK-T1-GE3 Thu mua
SIB914DK-T1-GE3 Chip