Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIE808DF-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
Mã sản phẩm
SIE808DF-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
10-PolarPAK® (L)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
10-PolarPAK® (L)
Tản điện (Tối đa)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.6 mOhm @ 25A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
155nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
8800pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 16276 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SIE808DF-T1-E3
SIE808DF-T1-E3 Linh kiện điện tử
SIE808DF-T1-E3 Việc bán hàng
SIE808DF-T1-E3 Nhà cung cấp
SIE808DF-T1-E3 Nhà phân phối
SIE808DF-T1-E3 Bảng dữ liệu
SIE808DF-T1-E3 Ảnh
SIE808DF-T1-E3 Giá
SIE808DF-T1-E3 Lời đề nghị
SIE808DF-T1-E3 Giá thấp nhất
SIE808DF-T1-E3 Tìm kiếm
SIE808DF-T1-E3 Thu mua
SIE808DF-T1-E3 Chip