Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIE810DF-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
Mã sản phẩm
SIE810DF-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
10-PolarPAK® (L)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
10-PolarPAK® (L)
Tản điện (Tối đa)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.4 mOhm @ 25A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
300nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
13000pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 47744 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SIE810DF-T1-E3
SIE810DF-T1-E3 Linh kiện điện tử
SIE810DF-T1-E3 Việc bán hàng
SIE810DF-T1-E3 Nhà cung cấp
SIE810DF-T1-E3 Nhà phân phối
SIE810DF-T1-E3 Bảng dữ liệu
SIE810DF-T1-E3 Ảnh
SIE810DF-T1-E3 Giá
SIE810DF-T1-E3 Lời đề nghị
SIE810DF-T1-E3 Giá thấp nhất
SIE810DF-T1-E3 Tìm kiếm
SIE810DF-T1-E3 Thu mua
SIE810DF-T1-E3 Chip