Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIE816DF-T1-GE3

SIE816DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
Mã sản phẩm
SIE816DF-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
10-PolarPAK® (L)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
10-PolarPAK® (L)
Tản điện (Tối đa)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
7.4 mOhm @ 19.8A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
77nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 30V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 8533 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIE816DF-T1-GE3
SIE816DF-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIE816DF-T1-GE3 Việc bán hàng
SIE816DF-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIE816DF-T1-GE3 Nhà phân phối
SIE816DF-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIE816DF-T1-GE3 Ảnh
SIE816DF-T1-GE3 Giá
SIE816DF-T1-GE3 Lời đề nghị
SIE816DF-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIE816DF-T1-GE3 Tìm kiếm
SIE816DF-T1-GE3 Thu mua
SIE816DF-T1-GE3 Chip