Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIE830DF-T1-E3

SIE830DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
Mã sản phẩm
SIE830DF-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
WFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
10-PolarPAK® (S)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
10-PolarPAK® (S)
Tản điện (Tối đa)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
4.2 mOhm @ 16A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
115nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5500pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 19119 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIE830DF-T1-E3
SIE830DF-T1-E3 Linh kiện điện tử
SIE830DF-T1-E3 Việc bán hàng
SIE830DF-T1-E3 Nhà cung cấp
SIE830DF-T1-E3 Nhà phân phối
SIE830DF-T1-E3 Bảng dữ liệu
SIE830DF-T1-E3 Ảnh
SIE830DF-T1-E3 Giá
SIE830DF-T1-E3 Lời đề nghị
SIE830DF-T1-E3 Giá thấp nhất
SIE830DF-T1-E3 Tìm kiếm
SIE830DF-T1-E3 Thu mua
SIE830DF-T1-E3 Chip