Mua Vishay Siliconix SIE868DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SIE868DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK

Mã sản phẩm

SIE868DF-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

10-PolarPAK® (L)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

10-PolarPAK® (L)

Tản điện (Tối đa)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

40V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

2.3 mOhm @ 20A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.2V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

145nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

6100pF @ 20V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 8085 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK