Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIHG23N60E-GE3

SIHG23N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Mã sản phẩm
SIHG23N60E-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
E
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TA)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247AC
Tản điện (Tối đa)
227W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
158 mOhm @ 12A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
95nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2418pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 44391 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIHG23N60E-GE3
SIHG23N60E-GE3 Linh kiện điện tử
SIHG23N60E-GE3 Việc bán hàng
SIHG23N60E-GE3 Nhà cung cấp
SIHG23N60E-GE3 Nhà phân phối
SIHG23N60E-GE3 Bảng dữ liệu
SIHG23N60E-GE3 Ảnh
SIHG23N60E-GE3 Giá
SIHG23N60E-GE3 Lời đề nghị
SIHG23N60E-GE3 Giá thấp nhất
SIHG23N60E-GE3 Tìm kiếm
SIHG23N60E-GE3 Thu mua
SIHG23N60E-GE3 Chip