Mua Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SIHG33N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Mã sản phẩm

SIHG33N65E-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Trạng thái một phần

Active

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-247-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-247AC

Tản điện (Tối đa)

313W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Xả điện áp nguồn (Vdss)

650V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

32.4A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

105 mOhm @ 16.5A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

173nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

4040pF @ 100V

VSS (Tối đa)

±30V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 49804 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SIHG039N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V TO247AC