Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIHH14N65E-T1-GE3

SIHH14N65E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8
Mã sản phẩm
SIHH14N65E-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-PowerTDFN
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 8 x 8
Tản điện (Tối đa)
156W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
260 mOhm @ 7A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
96nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1712pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 18958 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIHH14N65E-T1-GE3
SIHH14N65E-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIHH14N65E-T1-GE3 Việc bán hàng
SIHH14N65E-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIHH14N65E-T1-GE3 Nhà phân phối
SIHH14N65E-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIHH14N65E-T1-GE3 Ảnh
SIHH14N65E-T1-GE3 Giá
SIHH14N65E-T1-GE3 Lời đề nghị
SIHH14N65E-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIHH14N65E-T1-GE3 Tìm kiếm
SIHH14N65E-T1-GE3 Thu mua
SIHH14N65E-T1-GE3 Chip