Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIHH180N60E-T1-GE3

SIHH180N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH PPAK 8X8
Mã sản phẩm
SIHH180N60E-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
E
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-PowerTDFN
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 8 x 8
Tản điện (Tối đa)
114W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
33nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1085pF @ 100V
VSS (Tối đa)
±30V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 12183 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIHH180N60E-T1-GE3
SIHH180N60E-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIHH180N60E-T1-GE3 Việc bán hàng
SIHH180N60E-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIHH180N60E-T1-GE3 Nhà phân phối
SIHH180N60E-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIHH180N60E-T1-GE3 Ảnh
SIHH180N60E-T1-GE3 Giá
SIHH180N60E-T1-GE3 Lời đề nghị
SIHH180N60E-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIHH180N60E-T1-GE3 Tìm kiếm
SIHH180N60E-T1-GE3 Thu mua
SIHH180N60E-T1-GE3 Chip