Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIHP35N60EF-GE3

SIHP35N60EF-GE3

MOSFET N-CH TO-220AB
Mã sản phẩm
SIHP35N60EF-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
EF
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
250W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
97 mOhm @ 17A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
134nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2568pF @ 100V
VSS (Tối đa)
±30V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 12158 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIHP35N60EF-GE3
SIHP35N60EF-GE3 Linh kiện điện tử
SIHP35N60EF-GE3 Việc bán hàng
SIHP35N60EF-GE3 Nhà cung cấp
SIHP35N60EF-GE3 Nhà phân phối
SIHP35N60EF-GE3 Bảng dữ liệu
SIHP35N60EF-GE3 Ảnh
SIHP35N60EF-GE3 Giá
SIHP35N60EF-GE3 Lời đề nghị
SIHP35N60EF-GE3 Giá thấp nhất
SIHP35N60EF-GE3 Tìm kiếm
SIHP35N60EF-GE3 Thu mua
SIHP35N60EF-GE3 Chip