Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
Mã sản phẩm
SIR140DP-T1-RE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET® Gen IV
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8
Tản điện (Tối đa)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
25V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
71.9A (Ta), 100A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
0.67 mOhm @ 20A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
170nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
8150pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
+20V, -16V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 50836 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIR140DP-T1-RE3
SIR140DP-T1-RE3 Linh kiện điện tử
SIR140DP-T1-RE3 Việc bán hàng
SIR140DP-T1-RE3 Nhà cung cấp
SIR140DP-T1-RE3 Nhà phân phối
SIR140DP-T1-RE3 Bảng dữ liệu
SIR140DP-T1-RE3 Ảnh
SIR140DP-T1-RE3 Giá
SIR140DP-T1-RE3 Lời đề nghị
SIR140DP-T1-RE3 Giá thấp nhất
SIR140DP-T1-RE3 Tìm kiếm
SIR140DP-T1-RE3 Thu mua
SIR140DP-T1-RE3 Chip