Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
Mã sản phẩm
SIS412DN-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8
Tản điện (Tối đa)
3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
12nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 34667 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIS412DN-T1-GE3
SIS412DN-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIS412DN-T1-GE3 Việc bán hàng
SIS412DN-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIS412DN-T1-GE3 Nhà phân phối
SIS412DN-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIS412DN-T1-GE3 Ảnh
SIS412DN-T1-GE3 Giá
SIS412DN-T1-GE3 Lời đề nghị
SIS412DN-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIS412DN-T1-GE3 Tìm kiếm
SIS412DN-T1-GE3 Thu mua
SIS412DN-T1-GE3 Chip