Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SISA66DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
Mã sản phẩm
SISA66DN-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET® Gen IV
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8
Tản điện (Tối đa)
52W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
2.3 mOhm @ 15A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
66nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3014pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
+20V, -16V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 50563 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SISA66DN-T1-GE3
SISA66DN-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SISA66DN-T1-GE3 Việc bán hàng
SISA66DN-T1-GE3 Nhà cung cấp
SISA66DN-T1-GE3 Nhà phân phối
SISA66DN-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SISA66DN-T1-GE3 Ảnh
SISA66DN-T1-GE3 Giá
SISA66DN-T1-GE3 Lời đề nghị
SISA66DN-T1-GE3 Giá thấp nhất
SISA66DN-T1-GE3 Tìm kiếm
SISA66DN-T1-GE3 Thu mua
SISA66DN-T1-GE3 Chip