Mua Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_GE3 MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SQ2310ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

Mã sản phẩm

SQ2310ES-T1_GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-236

Tản điện (Tối đa)

2W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

30 mOhm @ 5A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

8.5nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

485pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.5V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 43853 PCS

Thông tin liên lạc